半导体存器件.docx

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文档介绍

第 1 章 半导体存器件

1.1 学习要求

)了解半导体的特性和导电方式,理解 PN 结的单向导电特性。

)了解半导体二极管、三极管的结构。

)理解二极管的工作原理、伏安特性和主要参数。

)理解双极型三极管的放大作用、输入和输出特性及其主要参数。

)了解 MOS 场效应管的伏安特性、主要参数及其与双极型三极管的性能比较。

1.2 学习指导

本章重点:

( 1) PN 结的工作原理。

( 2 )二极管的工作原理、伏安特性和主要参数。

( 3 )双极型三极管的放大作用、输入和输出特性及其主要参数。 本章难点:

( 1 )半导体二极管的限幅、钳位等作用。

( 2 )双极型三极管的电流分配与电流放大作用。

-E/. JH

本章考点:

( 1 )本征半导体、杂质半导体的相关概念。

( 2 ) PN 结的单向导电特性。

( 3 )半导体二极管、稳压管的限幅、钳位等电路分析。

( 4 )双极型三极管的管脚、工作状态及放大条件的判别。

PN 结

1.半导体的导电特征

半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。纯净的半导体称为本征半导体,其导 电能力在不同的条件下有着显著的差异。本征半导体在温度升高或受光照射时产生激 发,形成自由电子和空穴,使载流子数目增多,导电能力增强。

杂质半导体是在本征半导体中掺入杂质元素形成的,有 N型半导体和 P型半导体

两种类型。N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素形成的,自由电子为多数载流 子,空穴为少数载流子。 P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素形成的,空穴为 多数载流子,自由电子为少数载流子。杂质半导体的导电能力比本征半导体强得多。

. PN结及其单向导电性

在同一硅片两边分别形成 N型半导体和 P型半导体,交界面处就形成了 PN结。

PN结的形成是多数载流子扩散和少数载流子漂移的结果。 PN结具有单向导电性:

PN结加正向电压(P区接电源正极, N区接

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