半导体存器件.docx

第 1 章 半导体存器件

1.1 学习要求

）了解半导体的特性和导电方式，理解 PN 结的单向导电特性。

）了解半导体二极管、三极管的结构。

）理解二极管的工作原理、伏安特性和主要参数。

）理解双极型三极管的放大作用、输入和输出特性及其主要参数。

）了解 MOS 场效应管的伏安特性、主要参数及其与双极型三极管的性能比较。

1.2 学习指导

本章重点：

（ 1） PN 结的工作原理。

（ 2 ）二极管的工作原理、伏安特性和主要参数。

（ 3 ）双极型三极管的放大作用、输入和输出特性及其主要参数。 本章难点：

（ 1 ）半导体二极管的限幅、钳位等作用。

（ 2 ）双极型三极管的电流分配与电流放大作用。

-E/. JH

本章考点：

（ 1 ）本征半导体、杂质半导体的相关概念。

（ 2 ） PN 结的单向导电特性。

（ 3 ）半导体二极管、稳压管的限幅、钳位等电路分析。

（ 4 ）双极型三极管的管脚、工作状态及放大条件的判别。

PN 结

1．半导体的导电特征

半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。纯净的半导体称为本征半导体，其导 电能力在不同的条件下有着显著的差异。本征半导体在温度升高或受光照射时产生激 发，形成自由电子和空穴，使载流子数目增多，导电能力增强。

杂质半导体是在本征半导体中掺入杂质元素形成的，有 N型半导体和 P型半导体

两种类型。N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素形成的，自由电子为多数载流 子，空穴为少数载流子。 P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素形成的，空穴为 多数载流子，自由电子为少数载流子。杂质半导体的导电能力比本征半导体强得多。

. PN结及其单向导电性

在同一硅片两边分别形成 N型半导体和 P型半导体，交界面处就形成了 PN结。

PN结的形成是多数载流子扩散和少数载流子漂移的结果。 PN结具有单向导电性：