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抛光盘 抛光头转速比对化学机械 抛光效果的影响分析 高慧莹，费玖海 (中国电子科技集 团公司第 四十五研究所 ，北京 101601) 摘 要 ：针对化学机械抛光 (CMP)过程 中，抛光盘 、抛光头转速 比不 同，其晶片的抛光效果不同 的现象，从运动学角度详细分析 了CMP过程 中晶片上任一点的去除速度和运动轨迹 ，并通过 Matlab进行仿真 ，找 出转速 比与去除速度和运动轨迹的函数关系。 关键词 ：化学机械抛光；转速 比；去除速度 ；运动轨迹 中图分类号 ：TN305．2 文献标识码 ：A 文章编号 ：1004—4507(2011)05．0009—06 TheEffectAnalyzesofthePlateand theHeadRotation Speed RatioinTheChemicalM echanicalPolishingprocess GAOHuiying，FEIJiuhai (The45ResearchInstituteofCETC，EastYanjiao，Beijing101601，China1 Abstract：IntheChemica1MechanicalPolishing (CMP)process，therotationspeedratioofthe polishingplateand thepolishing head isdifferent，thewafer’S surfaceplanarization state isalso di仃erent．Thisarticleanalyzesthemovingspeedandthemovingtrackoftherandom dotonthewafer surfacebythekinematicstheory．UsingtheMatlabsimulationmethodfindstherelatio