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LPCVD工艺
Wuxi CSMC-HJ Semiconductor Co., Ltd.
无锡华晶上华半导体有限公司
Title :LPCVD 工艺培训
第一章 ,CVD 工艺原理介绍
在超大规模集成电路(ULSI)技术中,有很多沉积薄膜的方法,一般而言这些方法可以分类
为两个不同的反应机构:化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD) 和物理气相沉积
(Physical vapor deposition,PVD),在此我们仅对化学气相沉积进行介绍。
化学气相沉积法(CVD)
化学气相沉积法定义为化学气相反应物,经由化学反应,在基板表面形成一非挥发性的固态薄膜。
这是最常在半导体制程中使用的技术。通常化学气相沉积法包含有下列五个步骤:
1. 反应物传输到基板表面
2. 吸附或化学吸附到基板表面
3. 经基板表面催化起异质间的化学反应
4. 气相生成物脱离基板表面
5. 生成物传输离开基板表面
在实际的应用中,化学反应后所生成的固态材料不仅在基板表面(或非常靠近)发生(即所謂
的异质间反应),也会在气相中反应(即所谓的同质反应)。而异质间反应,是我们所想要的,因
为这样的反应只会选择性在有加热的基板上发生,而且能生成品质好的薄膜。相反的,同质反应
就不是我们想要的,因为他们会形成欲沉积物质的气相颗粒,造成很差的粘附性及拥有很多的缺
陷,且密度低的薄膜。此外,如此的反应将会消耗掉很多的反应物而导致沉积速率的下降。因此
在化学气相沉积法的应用中,一项很重要的因素是异质间反应远比同质反应易于发生。
最常用的化学气相沉积法有常压化学气相沉积法(Atmospheric-pressure CVD,APCVD)、低
压化学气相沉积法(Low-pressure CVD,LPCVD)和等离子增强化学气相沉积法(Plasma-enhanced
CVD,PECVD),而这三种化学气相沉积法的均有各自的优、缺点及应用的地方。低压化学气相沉
积法拥有很均匀的阶梯覆盖性、很好的組成成份和结构的控制、很高的沉积速率及输出量、及很
低的制程成本。再者低压化学气相沉积法並不需要载子气体,因此大大降低了颗粒污染源。因此
低压化学气相沉积法被广泛地应用在高附加价值的半导体产业中,用以作薄膜的沉积。
在硅的成长过程中,使用低压的目的在于減小自掺杂(来自基板本身的杂质)的效应,而这正是常
压化学气相成长的最主要问题。在未来元件尺寸愈作愈小的情況下,制程温度必需降低,而低压
化学气相沉积法的最严重问题是他的制程温度稍高,而等离子增强化学气相沉积法即是一种合适
的方法,可以解決这个问题。
化学气相沉积法的反应器的设计和操作,会因不同的要求而不同,因此这些反应器可以不同
的方式分类。一种分类法是依对晶片加热的方式来区別,另一种是依反应腔体內的压力来分类(常
压或是低压)。对晶片的加热方式可分成以下四类:
1. 热阻丝加热方式
2. 射频(RF)感应加热方式
3. 等离子增强(Plasma)加热方式
4. 光能加热方式
所加的能量可能转换至反应气体本身或是基板上。当使用反应腔体热阻丝线圈加热方式時,除了
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Wuxi CSMC-HJ Semiconductor Co., Ltd.
无锡华晶上华半导体有限公司
Title :LPCVD 工艺培训
晶片本身外,反应腔体的炉壁也会被加热,因此如此的设计称作“热壁反应器”(hot-wall
reactors)。在这种系统中所蒸镀的薄膜,除了会在基板上,也会在炉壁上生成。这意味著如此
的设计,必须經常清洗炉管,以避免微尘粒污染。 另一方面,藉由射频感应或在反应器內裝紅
外线、紫外线加热灯管来引入热源,将只会对晶片和晶片的载具加热,而不会对反应腔的炉壁加
热,如此的设计称作“冷壁反应器”(cold-wall reactors),然而,在一些的冷壁反应器的系统
中,还是会发生炉壁被加热的情形,所以就必须藉著冷却炉壁(通入冷却循环水)的方式来降低或
避免在炉壁上反应或沉积薄膜。反应炉管的几何形状由反应压力和热源供应方式严格限制著,而
且这是影响输出量(throughput) 的一个重要因素。因为常压反应器的操作在
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