文档介绍
加SBD速度提高了延迟时间下降了 （1）两个附带的好处 ① 有效地克服了多射极管的反向漏电流。 ② 减小了寄生PNP管效应。 （2）SBD箝位存在的一些不利影响 ① 电路输出低电平VOL升高，低电平抗干扰能力下降 ② SBD漏电流较大 ③ 增大了集电结电容 ④ SBD工艺对硅片表面制备和金属化的工艺要求较高，这使STTL电路的成品率比一般TTL电路稍低，成本较高。 54S/74S（T3000）系列STTL与非门 4.2.2 低功耗肖特基TTL（LSTTL）电路 一、与TTL与非门不同之处 1、用肖待基势垒二极管(SBD管Dl，D2)代替多发射极晶体管Ql，作为输入管。 优点： 第一、SBD是多子器件，没有少子存储，而且SBD导通电压比一般PN结二极管低，因此，这种输入结构可以提高电路的速度。 第二、SBD反向饱和电流要比多射极管的输入漏电流小得多，采用SBD作输入极，电路的输入漏电流很小，典型值仅为1μA。 第三、SBD的反向击穿电压一般在10V以上，比多射极管BE结反向击穿电压高得多，不用的输入端可直接练到VCC上，这就减少了使用上的麻烦。 2、将Q4的基极泄放电阻R4由接地改为接输出端V0，并加上SBD管的D5和D6。 二、LSTTL电路的基本特点 1、采用高阻值电阻使功耗PD下降为标准TTL们的1／5左右。 2、用R1，D1，D2组成以SBD为输入管的DTL电路。 DTL输入方式有一下优点： ① 高电平时输入电流IIH变小；② 由于SBD是多子器件，所以速度快；③ 因为SBD的击穿电压较高(BVSBD)＝10～15V)，所以可将不用的输入端直接与VCC相接，而不用通过电阻接VCC，方便了用户。 3、Q4的基极泄放电阻，R4由接地改为接输出端V0，并加上SBD管的D5和D6。提高高电平输出时的负载能力。 4、增加二极管D6、D5使电路速度得到提高。 5、采用离子注入，薄