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精品 pdf资料 欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - 第一题： 摩尔定律：一个芯片上的晶体管数目大约每十八个月增长一倍。 噪声容限：为了使一个门的稳定性较好并且对噪声干扰不敏感，应当使“ 0”和“ 1”的区间 越大越好。一个门对噪声的灵敏度是由低电平噪声容限 NM L 和高电平噪声容限 NM H 来度量的，它们分别量化了合法的“ 0 ”和“ 1”的范围，并确定了噪声的 最大固定阈值： NM L =VIL - VOL NM H =VOH - VIH 沟道长度调制： 在理想情况下， 处于饱和区的晶体管的漏端与源端的电流是恒定的， 并且独 立于在这两个端口上外加的电压。但事实上导电沟道的有效长度由所加的 V DS 调制：增加 V DS 将使漏结的耗尽区加大，从而缩短了有效沟道的长度。 开关阈值：电压传输特性（ VTC ）曲线与直线 Vout=Vin 的交点。 扇入：一个门输入的数目。 传播延时：一个门的传播延时 tp 定义了它对输入端信号变化的响应有多快。它表示一个信 号通过一个门时所经历的延时，定义为输入和输出波形的 50% 翻转点之间的时 间。由于一个门对上升和下降输入波形的响应时间不同， 所以需定义两个传播延 时。 tpLH 定义为这个门的输出由低至高翻转的响应时间，而 tpHL 则为输出由高至 低翻转的响应时间。传播延时 tp 定义为这两个时间的平均值： tp=(t pLH +tpHL )/2 。 设计规则：定义设计规则的目的是为了能够很容易地把一个电路概念转换成硅上的几何图 形。设计规则的作用就是电路设计者和工艺工程师之间的接口，或者说是他们之 间的协议。设计规则是指导版图掩膜设计的对几何尺寸的一组规定。它们包括图 形允许的最小宽度以及在同一层和不同层上图形之间最小间距的限制与要求。 速度饱和效应：对于长沟 MOS 管，载流子满足公式：