半导体物理学复习提纲2015-6-23.pdf

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试卷结构：

一、选择题（每小题 2 分，共 30 分）

二、填空题（每空 2 分，共 20 分）

三、简答题（每小题 10 分，共 20 分）

四、证明题 (10 分 ) （第六章）

五、计算题（ 20 分） （第五章） 第一章 半导体中的电子状态 §1.1 锗和硅的晶体结构特征

金刚石结构的基本特征 §1.2 半导体中的电子状态和能带

电子共有化运动概念

绝缘体、半导体和导体的能带特征。几种常用半导体的禁带宽度；

本征激发的概念 §1.3 半导体中电子的运动 有效质量 2 2 h k

导带底和价带顶附近的 E(k)~k 关系 E k - E 0 = * ； 2m n dE

半导体中电子的平均速度 v ； hdk 2 1 1 d E

有效质量的公式： * 2 2 。窄带、宽带与有效质量大小 m h dk n §1.4 本征半导体的导电机构 空穴

空穴的特征：带正电； m m ； En Ep ； kp kn p n §1.5 回旋共振 §1.6 硅和锗的能带结构

硅和锗的能带结构特征：

导带底的位置、个数；

价带结构：价带顶的位置，重空穴带、轻空穴带以及自旋 - 轨道耦合分裂出来的

能带。

硅和锗是间接带隙半导体 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 §2.1 硅、锗晶体中的杂质能级

基本概念：施主杂质，受主杂质，杂质的电离能， 杂质的补偿作用 。 §2.2 Ⅲ—Ⅴ族化合物中的杂质能级

杂质的双性行为 第三章 半导体中载流子的统计分布

非简并热平衡载流子概念和性质 （非简并—玻耳兹曼；统一费米能级； n p = n2 ） 0 0 i §3.1 状态密度

定义式： g ( E) dz/ dE ； 3 / 2 * 2m n 1/ 2

导带底附近的状态密度： g ( E) 4 V E E ； c 3 c h * 3 / 2 2m