山东理工模拟电子第3章概要.ppt

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文档介绍

(2) 图解法 VDD IDQ UDSQ Q 利用式 uDS = VDD - iDRD 画出直流负载线。 图中 IDQ、UDSQ 即为静态值。 UGSQ = VGG 第三十一页,编辑于星期一:二十三点 二十八分。 +VDD RS CS C2 C1 RD RG + T + _ + _ ui uo IS + _ UGS 例1:已知VDD =20V、RD=3k?、 RS=1k?、 RG=500k?、UGS(off)= –4V、IDSS=8mA, 确定静态工作点。 解:用估算法 UGSQ = – IDQRS UDSQ= VDD – IDQ(RD + RS )= 12 V 解出UGSQ1 = –2V、UGSQ2 = –8V、IDQ1=2mA、IDQ2=8mA UGSQ2 <UGS(off) 故舍去 ,Q点为UGSQ = –2V,IDQ=2mA ID g d s 第三十二页,编辑于星期一:二十三点 二十八分。 如果输入正弦信号,则可用相量代替上式中的变量。 由于没有栅极电流,所以栅源是悬空的。 几百千欧 + + — — g d s s g — + uGS + — uDS d 2、动态分析 (1) 场效应管微变等效电路 第三十三页,编辑于星期一:二十三点 二十八分。 动态参数 gm 和 rds ①根据定义通过在特性曲线上作图方法中求得。 ②用求导的方法计算 gm 在 Q 点附近,可用 IDQ 表示上式中 iD,则  一般 gm 约为 0.1 至 20 mS。 rds 为几百千欧的数量级。当 RD 比 rds 小得多时,可认为等效电路的 rDS 开路。 第三十四页,编辑于星期一:二十三点 二十八分。 第三章 场效应管及其放大电路 第3章 场效应管及其放大电路 3.1 结型场效应管 3.2 绝缘栅型场效应管 3.3 场效应管的主要参数及特点 3.4 场效应管放大电路 第一页,编辑于星期

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