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算例39：微带相控阵天线电磁-热-形变-电磁多物理场设计CSTChina./2014/7/171算例04：微带相控阵天线多物理场设计CSTChina||info@cst-china.cn流程•SAM流程：1.电磁，得到电性能参数(如S参数)；2.热，得到由于电磁损耗产生的热分布；3.结构应力，得到由于热产生的结构应力形变；4.再回到电磁，将结构应力变形反馈到电磁中，得到由于结构形变，对电磁性能造成的变化(如S参数变化)。注：CST的多物理场是从电磁出发最后又回到电磁，这是它有别于其他纯热场或结构力学软件最之处。形变再反馈到CSTMWS得到新的电磁特性CSTMWS-FEM电磁CSTMPS-ST结构应力CSTMPS-Ths热2算例04：微带相控阵天线多物理场设计CSTChina||info@cst-china.cnSAM技术•在CST2013版本中，可以将多物理场与最新的系统装配技术(SAM：SystemAssemblyandModeling)结合来实现。•将进行如下(所有均在DS中进行)：1.A——未形变天线的S参数；2.B——阵列天线的；3.C——因温度上升而带来的阵列形变；4.D——微小形变后阵列的S参数，并与形变前相比较；5.E——较大形变后阵列的S参数及；3算例04：微带相控阵天线多物理场设计CSTChina||info@cst-china.cn天线单元的建立4.7基板材质：FR-46.2介电常数：4.3厚度：1mm15：mm4算例04：微带相控阵天线多物理场设计CSTChina||info@cst-china.cn天线单元S参数5算例04：微带相控阵天线多物理场设计CSTChina||info@cst-china.cn天线单元6算例04：微带相控阵天线多物理场设计CSTChina||info@cst-china.cn阵列生成7算例04：微带相控阵天线多物理场设计CS