电力电子知识点总结.doc

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文档介绍

第一章

电力电子技术是应用于电力领域的电子技术, 也就是使用电力电子器件对电能进行变换

和控制的技术。

电子技术包括信息技术和电力电子技术两大分支。

电力电子器件:

半控器件:

晶闸管( SCR )、门极可关断晶闸管( GTO )。

全控器件:

电力晶体管 ( GTR )、绝缘栅双极晶体管( IGBT )、电力场效应晶体管(电力 MOSFET )。

不可控器件:

电力二极管(整流二极管)

电力电子器件的分类:

按照驱动电路信号的性质,分为两类:

电流驱动型:晶闸管 SCR 、门极可关断晶闸管 GTO 、

电力晶体管 GTR

电压驱动型:

电力场效应晶体管 MOSFET 、绝缘栅双极晶体管 IGBT

按照器件内部参与导电的情况分为两类:

单极型器件:电力 MOSFET

双极型器件:电力二极管、晶闸管 SCR 、门极可关断晶闸管 GTO 、电力晶体管 GTR

混合型器件:绝缘栅双极晶体管 IGBT

晶闸管正常工作时的特性:

承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通。

承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。

晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用。

若要使已导通的晶闸管关断, 只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降

到接近于零的某一数值以下。

关断时间大于晶闸管的电路换向关断时间,才能可靠关断。

GTO 能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别:

设计 2 较大,使晶体管 V2 控 制灵敏,易于 GTO 关断。

导通时接近临界饱和,有利门极控制关断,但导通时管压降增大。

多元集成结构,使得 P2 基区横向电阻很小,能从门极抽出较大电流。

晶闸管非正常导通的几种情况:

阳极电压升高至相当高的数值照成雪崩现象;阳极电压上升率过高;结温较高; 光直接照射

硅片,即光触发;

第二章

单向可控整流电路:

单向半波可控整流电路:

电阻负载:

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