电力电子知识点总结.doc
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- 2021-09-20 发布|
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第一章
电力电子技术是应用于电力领域的电子技术, 也就是使用电力电子器件对电能进行变换
和控制的技术。
电子技术包括信息技术和电力电子技术两大分支。
电力电子器件:
半控器件:
晶闸管( SCR )、门极可关断晶闸管( GTO )。
全控器件:
电力晶体管 ( GTR )、绝缘栅双极晶体管( IGBT )、电力场效应晶体管(电力 MOSFET )。
不可控器件:
电力二极管(整流二极管)
电力电子器件的分类:
按照驱动电路信号的性质,分为两类:
电流驱动型:晶闸管 SCR 、门极可关断晶闸管 GTO 、
电力晶体管 GTR
电压驱动型:
电力场效应晶体管 MOSFET 、绝缘栅双极晶体管 IGBT
按照器件内部参与导电的情况分为两类:
单极型器件:电力 MOSFET
双极型器件:电力二极管、晶闸管 SCR 、门极可关断晶闸管 GTO 、电力晶体管 GTR
混合型器件:绝缘栅双极晶体管 IGBT
晶闸管正常工作时的特性:
承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通。
承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。
晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用。
若要使已导通的晶闸管关断, 只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降
到接近于零的某一数值以下。
关断时间大于晶闸管的电路换向关断时间,才能可靠关断。
GTO 能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别:
设计 2 较大,使晶体管 V2 控 制灵敏,易于 GTO 关断。
导通时接近临界饱和,有利门极控制关断,但导通时管压降增大。
多元集成结构,使得 P2 基区横向电阻很小,能从门极抽出较大电流。
晶闸管非正常导通的几种情况:
阳极电压升高至相当高的数值照成雪崩现象;阳极电压上升率过高;结温较高; 光直接照射
硅片,即光触发;
第二章
单向可控整流电路:
单向半波可控整流电路:
电阻负载: