双频容性耦合等离子体刻蚀工艺的物理基础PowerPoi .pptx

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文档介绍

;内 容

一、等离子体刻蚀技术的发展趋势及存在的问题

二、几种有代表性的等离子体源

三、描述 DF-CCP物理过程的解析模型

四、描述 DF-CCP物理过程的混合模型

五、直流偏压效应

六、有关实验工作进展;一、等离子体刻蚀技术的发展趋势及问题 低温等离子体刻蚀技术在微纳制造工艺中得到广泛地应

用，如超大规模集成电路、微机械系统、微光学系统的制

备。 ;;? 均匀性 刻蚀的均匀性包含两层意思： 1）宏观的不均匀性：在晶片的径向上造成的刻蚀率和刻蚀剖 面的不均匀性。 2）微观不均匀性：在每个微槽的底部和侧面造成的刻蚀不均匀性。;为了适应纳电子器件的制备工艺，必须要： 1）提出大面积、高密度、均匀等离子体的新方法； 2）提出优化刻蚀工艺的新方法。 ;1、平板式是射频容性耦合等离子体(CCP)源;9、要学生做的事，教职员躬亲共做；要学生学的知识，教职员躬亲共学；要学生守的规则，教职员躬亲共守。6月-216月-21Sunday, June 27, 2021

10、阅读一切好书如同和过去最杰出的人谈话。19:06:1219:06:1219:066/27/2021 7:06:12 PM

11、一个好的教师，是一个懂得心理学和教育学的人。6月-2119:06:1219:06Jun-2127-Jun-21

12、要记住，你不仅是教课的教师，也是学生的教育者，生活的导师和道德的引路人。19:06:1219:06:1219:06Sunday, June 27, 2021

13、He who seize the right moment, is the right man.谁把握机遇，谁就心想事成。6月-216月-2119:06:1219:06:12June 27, 2021

14、谁要是自己还没有发展培养和教育好，他就不能发展培养和教育别人。27 六月 20217:06:12 下午19:06:

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