微电子器件第4版陈星弼习题答案.pdf

想预览更多内容,点击预览全文

申明敬告:

本站不保证该用户上传的文档完整性,不预览、不比对内容而直接下载产生的反悔问题本站不予受理。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击这里二次下载

文档介绍

第2章3、kTNN51032(1)VbilnAD0.026ln0.739Vqni22.25102012qNV24-1(3)Emax0bi4.3410VcmS5(2)xpSEmax2.8310cmqNA6xSE5.6710cmnqNDmax12V2V25xxxSEbiSbi3.4010cmdpnqN0maxEmaxqN0422VVVxSVVSVVbixbidbibid0qN0qN0VbiVbi当V3V时,x2xbidd0当V8V时,x3xbidd06、ND2ND1由平衡时多子电流为零dnJqDqnE0nndxnD1dnkT1dnkTdlnn得:Enndxqndxqdxnxd1kTND1kTNVEdxlnn|lnD1bixd2qND2qND2kT203163将0.026V,ND1110cm,ND2110cmq4代入,得:V0.026ln(10)0.24Vbi7、由第6题:kT1dnkT1dN(x)EqndxqN(x)dxxkT将N(x)Nexp()代入,得:E0qkT再将0.026V,0.4μm代入,得:E650Vcmq12qNV2突变结的最大电场强度表达式为:|E|0bimaxsNN153kTNN式中:N0DAND10cm,VbilnDA0.757V,NNqn2DAi1912q1.610C,S1.04510Fcm,4代入|E|中,得:|E|1.5210Vcmmaxmax8、(1)NIPxxxi10xi2xxi1ni2pdE1qq在N型耗尽区,N,ENxCD1D1dxss边界条件:在xxx处,E0,由此得:EqN(xxx)i1n11Di1nsdE

您可能关注的文档

最近下载