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晶科能源有限公司全球领先的光伏一体化产品制造商和服务商浙江晶科能源有限公司 电池制造部培训内容：刻蚀工序讲师：刘自龙2010年9月9日 多晶电池片生产过程丝网印刷正电极原硅片分类检测包装丝网印刷背电场丝网印刷背电极刻蚀和去磷硅玻璃PECVD扩散制绒刻蚀的目的和原理刻蚀目的：去除边缘PN结，防止短路刻蚀原理：①4HNO3+3Si=3SiO2+4NO+2H2O②SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O去PSG（磷硅玻璃）原理：什么是磷硅玻璃在扩散过程中发生如下反应：POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面， P2O5与Si反应生成SiO2和磷原子。这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。3427156Rena水平刻蚀机1.冷水机；5.上料台；2.控制电脑；6.rena柱式指示灯及其急停开关;3.抽风管及其调节阀；7.前玻璃窗.4.集中供液柱式指示灯及其急停开关;81114131591012Rena水平刻蚀机8.电柜；12.排放管道；9.后玻璃盖板；13.自动补液槽；10.下料台；14.集中供液管路 ；11.供气，供水管道；15.传送滚轴. 1.上料台放片 2.刻蚀槽刻边结 3.洗槽去残液 6.HF槽去磷硅玻璃 5.洗槽去残液 4.KOH喷淋去多孔硅 7.洗槽去残液 8.风刀吹干 9.下料台插片生产流程注意事项1全过程戴口罩，完全遮住口鼻；必须戴乳胶手套或一次性手套进行操作；整个操作过程中衣服，皮肤不可接触硅片。 2 每次只从传递窗里取一批片子，传递窗两 侧的门不能同时打开3 扩散面朝上，千万不要防反4 控制放片间距和角度，放置卡片5 下料要挑出色差片，水痕片等注意事项6 发现问题要快速上报，不得私自处理7 刻蚀后的硅片留存不能超过1h8 必须按时还液；配液之前要把槽里的碎片清理干净，槽内严禁有锈迹和有机物 9 严禁有金属及其他杂质进入各槽内,否则更换