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第3章

CMOS反相器的分析与设计 贺 旭

什么是反相器？ „  门符号 非门（反相器） A Y = A Y = A A 0 1 1 0

反相器的应用 „ 逻辑取反 „  如反码等 „ 输出为标准电压 „  前级输出的电平不是标准电平、或波形不理想,用反相器来给 波形整形,并变为标准电压的输出 „ 增强驱动能力 „  线长很长时，负载电容大，信号传输时间长 „  反相器两个级联，形成buffer，增加驱动能力，减少延时

NMOS、PMOS能组成反相器么？ 衬底 源漏区 沟道 漏源 阈值电 类 型 掺杂 掺杂 载流子 电压 压 n沟增强型 p n+ 电子 正 V >0 T 衬底 源漏区 沟道 漏源 阈值电 类 型 掺杂 掺杂 载流子 电压 压 p沟增强型 n p+ 空穴 负 V <0 T

NMOS、PMOS能组成反相器么？

栅极 （in）：VDD 漏为输出端（out ），源电压

栅极 （in）：GND 不变（固定接VDD/GND ）, 怎么做反相器？ NMOS衬底接地 PMOS衬底接VDD

纲要 „ 3.1 CMOS反相器的结构和基本特性 „ 3.2 CMOS反相器的直流特性 „ 3.3 CMOS反相器的瞬态特性 „ 3.4 CMOS反相器的设计

3.1 CMOS反相器的结构和基本特性 V DD „ NMOS管的衬底接地， PMOS管的衬底接VDD M „ 输入端——栅极 p „ 输出端——？极 In Out „ 如何判断分析器中NMOS M 和PMOS器件的源漏区？ n „ 是否有衬偏效应？