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第2章 晶体管及其基本放大电路2.1 晶体管2.2 放大的概念及放大电路的性能指标2.3 共发射极放大电路的组成及工作原理2.4 放大电路的图解分析法2.5 放大电路的微变等效电路分析法2.6 分压式稳定静态工作点电路2.7 共集电极放大电路2.8 共基极放大电路2.9 组合单元放大电路小结2.1 晶体管2.1.1 晶体三极管2.1.2 晶体三极管的特性曲线2.1.3 晶体三极管的主要参数CNPPBNNPECCBBEE(Semiconductor Transistor)2.1.1 晶体三极管一、结构、符号和分类collector集电极 C— 集电区集电结— 基区基极 B发射结base— 发射区发射极 EemitterNPN 型PNP 型分类：按材料分：硅管、锗管按结构分：NPN、 PNP按使用频率分：低频管、高频管按功率分：小功率管 < 500 mW中功率管 0.5 ?1 W大功率管 > 1 WECECBBuouououiuiuiCBE二、电流放大原理1. 三极管放大的条件发射区掺杂浓度高发射结正偏集电结反偏外部条件内部条件基区薄且掺杂浓度低集电结面积大2. 满足放大条件的三种电路共集电极共基极共发射极3. 三极管内部载流子的传输过程1) 发射区向基区注入多子电子， 形成发射极电流 IE。I CNI CBO2)电子到达基区后IB(基区空穴运动因浓度低而忽略)多数向 BC 结方向扩散形成 ICN。I BN少数与空穴复合，形成 IBN 。基极电源提供(IB)基区空穴来源IE集电区少子漂移(ICBO)IBN ? IB + ICBO即：IB = IBN – ICBO 3) 集电区收集扩散过 来的载流子形成集 电极电流 ICICI CNI CBOIBI C = ICN + ICBO I BNIE4. 三极管的电流分配关系IB = I BN ? ICBO IC = ICN