4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱.PDF
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CASA 第三代半导体产业技术创新战略联盟标准 T/CASA 004.2-20 18 4H 碳化硅衬底及外延层缺陷图谱

The Metallographs Collection for Defects in both 4H-SiC Substrates and Epilayers 版本:V01.00 2018-11-20 发布 第三代半导体产业技术创新战略联盟发布 T/CASA 004.2-2018 目录

前言III

1 范围 1

2 规范性引用文件 1

3 术语和定义 1

4 SiC 衬底及外延 1 4.1 4H 碳化硅 1 4.2 晶型2 4.3 物理气相输运生长3 4.4 4H-SiC 衬底5 4.5 4H-SiC 同质外延及台阶控制外延生长6 4.6 4H-SiC 外延层及外延晶片6 4.7 KOH 腐蚀7

5 缺陷基本术语及分类9

6 4H-SiC 衬底缺陷 11 6.1 位错 11 6.2 层错 14 6.3 微管 17 6.4 碳包裹体20 6.5 晶型包裹体21 6.6 双Shockley 型堆垛层错23 6.7 螺位错24 6.8 刃位错26 6.9 基晶面位错27 6.10 小角晶界29 6.11 划痕30 6.12 CMP 隐含划痕34

7 4H-SiC 外延缺陷36 7.1 表面形貌缺陷36 7.2 掉落颗粒物36 7.3 三角形缺陷37 7.4 彗星缺陷39 7.5 胡萝卜缺陷39 7.6 直线型缺陷40 7.7 小坑缺陷42 7.8 梯形缺陷44 7.9 台阶聚集46 7.10 外延凸起49 7.11 乳凸49 7.12 界面位错49 I

T/CASA 004.2-2018 7.13 原生型层错50 7.14 不全位错53 7.15 半环列阵55 7.16 点缺陷55 7.17 碳空位56 7.18 外延层螺位错56 7.19 外延层刃位错58
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