文档介绍
干刻工艺介绍 Array-DRY 2015/7/20 干蚀刻原理 1 2 干蚀刻模式 3 干蚀刻工艺参数 4 干蚀刻反应方式 干蚀刻评价项目 6 镀膜(PVD、CVD) 上光阻(Coater) 光罩 曝光(Exposure) 去光阻液 (Stripper) 去光阻 蚀刻 (Dry、Wet) 酸 气体 镀 下 一 层 膜 显影(Developer) 显影液 清洗 非金属层 GI ES PAS1/PAS2 SiO2 SiNx O2 He Ar + CF4 Cl2 BCl3 SiF4 气体， 易于抽走 干蚀刻：将特定气体置于低压状态下施以电压，将其激发成Plasma，对特定膜层加以化学性蚀刻和离子轰击，达到去除膜层的一种蚀刻方式； 干蚀刻原理 Plasma 基板 光阻 薄膜 光阻 光阻 去掉不想要的薄膜 留下想要的 ①化学反应-等向性刻蚀 ?物理反应-异向性刻蚀 SiF4 Plasma Plasma F* SiF4 F* 干蚀刻反应方式 干蚀刻模式 plasma F* F* F* plasma CF2+ F* plasma CF2+ F* plasma CF2+ F* RIE mode ECCP mode PE mode ICP mode Plasma Etching Reactive Ion Etching Enhanced Capacitive coupled Plasma Inductively Coupled Plasma 工艺参数 温度 压力 RF power 过刻 时间 蚀刻 时间 气体 流量 干蚀刻工艺参数 评价 项目 ER/U% Taper角 形态 下层膜 膜厚 下层膜 电性 Resist 残渣 信赖性 Contact 寸法 干蚀刻评价项目 选取13个点，测量段差，计算刻蚀率与均一性 刻蚀率与均一性 刻蚀率：刻蚀某层膜的速率，即平均刻蚀膜厚/刻蚀时间，（ERmax